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长江存储128层TLC闪存芯片被曝已商用

近日,业界知名的硬件拆解与分析机构TechInsights对Asgard(阿斯加特)最新的AN4 1TB SSD(基于pcie 4.0标准的nvme1.4产品)进行了拆解和分析,从中发现了来自长江存储的128层TLC 3d nand Flash芯片,这是长江存储128层堆叠3D NAND闪存首次被发现商业应用,说明长江存储已在生产+出货相关产品了。

对长江存储而言,这可谓是非常重要的一个进展了。

长江存储128层TLC闪存芯片被曝已商用

长江存储闪存芯片封装标记

这款SSD产品采用了中国存储芯片制造厂商长江存储技术有限公司(YMTC)研发的新型3D NAND 128L Xtacking 2.0芯片,PCB板上包括4颗256GB NAND(YMTC)芯片和两颗512MB ddr4(南亚)内存芯片。

长江存储128层TLC闪存芯片被曝已商用

YMTC 128L Xtacking 2.0 Peripheral CMOS Die Floorplan

长江存储512Gb 128L Xtacking 2.0 TLC芯片尺寸为60.42mm²,位密度增加到8.48Gb/mm²,相比Xtacking 1.0芯片(256Gb)提升了92%。由于长江存储Xtacking混合键合技术使用两片晶圆来集成3D NAND器件,因此我们可以找到两个die,一个用于NAND阵列芯片,另一个用于CMOS外围芯片。

长江存储128层TLC闪存芯片被曝已商用

YMTC 128L Xtacking 2.0 NAND Die平面图

Xtacking架构旨在让长江存储在最大化其内存阵列密度的同时获得超快I/O,例如SSD的读取速度可以达到7500MB/s,写入速度为5500MB/s。该芯片还采用四平面设计,所有CMOS外围电路(如页面缓冲器、列解码器、电荷泵、全局数据路径和电压发生器/选择器)都放置在3D NAND单元阵列芯片下方的逻辑芯片上。

长江存储128层TLC闪存芯片被曝已商用

YMTC 3D NAND从32L到128L单元结构(WL方向的X截面sem图像)

长江存储128L Xtacking 2.0单元架构由两个层板组成,通过层板接口缓冲层连接,这与铠侠112L BiCS 3D NAND结构相同。单元尺寸、CSL间距和9孔VC布局则保持与之前64L Xtacking 1.0单元相同的设计和尺寸(水平/垂直WL和BL间距)。门的总数为141(141T)个,包括用于TLC操作的选择器和虚拟WL。

长江存储128层TLC闪存芯片被曝已商用

YTMC 3D NAND架构对比:Gen1(32L),Gen2(64L,Xtacking 1.0),Gen3(128L,Xtacking 2.0)

长江存储128L Xtacking 2.0上层有72个tungsten gates,下层有69个门。包括BEOL AI、NAND芯片和外围逻辑芯片在内的金属层总数为10,这意味着与64L Xtacking 1.0工艺集成相比,它的外围逻辑芯片中增加了两个铜金属层。而通道VC孔高度增加了一倍,为8.49µm。

长江存储128层TLC闪存芯片被曝已商用

长江存储、三星美光、SK海力士128L 512Gb 3D NAND架构对比

与三星(V-NAND)、美光(CTF CuA)和SK海力士(4D PUC)现有的128L 512Gb 3D TLC NAND产品相比,长江存储128L Xtacking 2.0裸片尺寸要比它们小,这使其位密度最高。四平面芯片布局和双层阵列结构与美光和SK海力士相同,但每串选择器和虚拟WL的数量为13个,比美光和SK海力士小(两者均为147T)。此外,由于采用Xtacking混合键合技术,其使用的金属层数远高于其他产品。

最后,TechInsights认为,长江存储的128层堆叠工艺无论在容量、位密度还是I/O速度方面都足以与其他产品竞争,技术上已赶上其他领跑者。

文章来源:TechInsight 翻译:多米尼克

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    • 网友[221.178.56.60]     发布于 2021-09-30 16:05:29  回复该评论
    • 没事卖干嘛?也卖不了多少钱,坐等拆迁,三年不拆迁,五年七年,迟早不拆迁。
    • 网友[221.178.56.60]     发布于 2021-09-30 16:05:29  回复该评论
    • 是的,他等不及了嫁过来5年了当初他家说要拆迁的。得想着怎么苦钱买房子才是正确的